MDT的新型集成式TMR传感器可经工厂校准实现性能指标的高度一致性和卓越的温度稳定性，从而为大批量和高性能工业传感器产品的快速上市创造了捷径
加利福尼亚州圣何塞和江苏省张家港市年6月27日/美通社/--专业的隧道磁阻(TMR)磁传感器领先供应商多维科技有限公司(MultiDimensionTechnologyCo.,Ltd.,MDT)日前推出了专为电流检测，位置感应和其他高性能工业磁传感器应用而设计的TMR线性磁场传感器。TMR带有内置可编程信号调理电路，支持对性能参数的工厂校准和温度补偿，灵敏度和输出满量程电压可在±高斯的测量范围内定制。这款产品可以在大规模量产中实现性能指标的高度一致性和温度稳定性，同时具备很强的多功能性，满足不同工作条件下的多种应用。
TMR器件特性和封装
多维科技董事长兼首席执行官薛松生博士指出："TMR内置的可编程信号调理电路可对TMR传感器的性能参数（包括零点偏移电压、灵敏度、测量范围和线性度）进行校准和温度补偿，并通过可调增益根据客户需求定制灵敏度和满量程电压。TMR能够在大规模量产中实现卓越的性能指标一致性和温度稳定性，从而免除了客户为逐个器件校准所花费的工作量和资源。这项新功能对于电流检测等批量大且性能要求高的工业传感器应用至关重要，为客户的产品快速上市创造了一条捷径。基于MDT在TMR传感器和ASIC设计上的丰富经验和独有的专利，以及在与客户紧密合作过程中所积累的对应用需求的深入了解，我们蓄势待发，即将通过这一款全集成式并即时可用的TMR传感器产品全面释放TMR技术的巨大潜力，为我们的客户提供更高的投资回报。"
TMR的主要特性包括：
-40~°C全温区范围内优异的温度稳定性，TCS（灵敏度温度系数）低于PPM/°C，TCO（零点偏移温度系数）低于50PPM/°C灵敏度在1~mV/Gauss的范围内可编程，同时可在±高斯之间定制测量范围和与之对应的满量程输出电压高频响应可达2MHz两个版本可支持3.3V/5.0V的电源电压小尺寸3*2*0.75mmDFN封装
关于定价和交付信息，请请联系MDT，或在6月28日至29日在美国加利福尼亚州圣何塞举行的SensorsConverge展会上访问MDT的号展位。